반도체/Thin Film4 Heterogeneous Nucleation - 불균일 핵생성 Heterogeneous Nucleation - 불균일 핵생성너무 많이 늦었지만 지난 글에 이어서 불균일 핵생성에 대해 알아봅시다..! 이전 글에서 핵은 생성되는 위치에 따라 Gibbs free energy가 다르고, 이 차이로 Homogeneous Nucleation과 Heterogeneous Nucleation으로 나뉜다고 했습니다.그럼 Homogeneous와 Heterogeneous의 Gibbs free energy가 어떻게 다른지 알아봅시다. Heterogeneous Nucleation은 원자가 어떤 표면에 붙고 모여서 핵을 생성하는 것입니다. 어떤 표면에서 핵을 만들기 때문에 완전한 구형의 핵은 생성할 수 없고, 완전한 구형이라면 그건 Homogenous 핵 형성으로 봐야겠죠 이런 구조적인 .. 2024. 5. 2. Nucleation Theory - Homogeneous Nucleation (핵생성 이론) Nucleation Theory Homogeneous Nucleation 1)Nucleation Theory 핵생성 이론은 원자가 일정 수준의 크기이상 모여야 안정한 핵을 생성하고 성장할 수 있다는 것을 Gibbs free energy로 설명한 이론입니다. 핵은 생성되는 위치에 따라 Gibbs free energy가 다르기때문에, 이 차이에 의해 Homogeneous Nucleation과 Heterogeneous Nucleation으로 나뉩니다. 2)Homogeneous Nucleation Homogeneous Nucleation은 원자들이 어딘가에 붙지않고 모이면서 핵을 만드는 방법입니다. Homogeneous 혹은 Heterogeneous에 관계없이 핵 생성이라는 것은 일단 원자가 모여서 안정된 상태.. 2022. 11. 17. Deal-Grove Model (2), 박막 증착 속도 Surface Reation limited Mass Transport limited Net Growth rate 이전 글에서 Deal grove Model의 steady state까지 다뤘습니다. (2022.11.10 - [반도체/공정 기술] - CVD와 Deal-Grove Model) 이제 증착 속도를 계산하기 위해서 F1이 빠를때와 F2가 빠를때 각각의 경우를 생각해보면서 증착 속도(성장 속도)를 계산할 수 있습니다. 1)F1이 빠를때, ks 2022. 11. 15. CVD 공정과 Deal-Grove Model CVD Deal-Grove Model, 반응속도의 계산 1)CVD CVD는 Chemical Vapor Deposition의 약자로 화학적 에너지로 원료 가스를 기판(Wafer) 표면에서 증착하는 공정입니다. 일반적으로 쌓고자하는 막의 원료가 되는 가스가 어떤 에너지에 의해 Film을 만드는 것이고, 이때 공급된 에너지는 열 일수도있고, 플라즈마, Radical 등 여러가지 일 수 있습니다. 어떤 방식으로 에너지를 공급했는지도 중요하겠지만 반응물을 만들어내기 위해선 결국 반응 할 수 있는 만큼의 에너지를 공급해줘야하고 이것을 Activation 에너지 라고 합니다. CVD에서 공정이 진행되는 순서는 그림처럼 크게 1)반응물의 웨이퍼로의 이동, 2)표면에서의 반응 3)부산물의 배출 로 이뤄집니다. 여기서 전.. 2022. 11. 10. 이전 1 다음
